[发明专利]一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤

摘要

本发明涉及一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r₁为5.5～7.5μm，相对折射率差△n₁为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆辅助芯层、内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，辅助芯层半径r₂为9～15μm，相对折射率差△n₂为‑0.20～0，内包层半径r₃为11～17μm，相对折射率差△n₃为‑0.20～0，下陷内包层半径r₄为15～19μm，相对折射率差△n₄为‑0.60～‑0.20％，辅助外包层半径r₅为35～52μm，相对折射率差△n₅范围为‑0.4～‑0.10％，外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明合理的设计了光纤内部的粘度匹配，减少光纤制备过程中缺陷，不仅使光纤的波导结构和粘度匹配更趋合理，衰减低、有效面积大，具有较好的弯曲损耗，而且光纤制造成本较低。

主权项

1.一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r₁为5.5～7.5μm，相对折射率差△n₁为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆辅助芯层、内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的辅助芯层半径r₂为9～15μm，相对折射率差△n₂为‑0.20～0，所述的内包层半径r₃为11～17μm，相对折射率差△n₃为‑0.20～0，所述的下陷内包层半径r₄为15～19μm，相对折射率差△n₄为‑0.60～‑0.20％，所述的辅助外包层半径r₅为35～52μm，相对折射率差△n₅范围为‑0.4～‑0.10％，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。