[发明专利]一种外源GA3诱导山药试管薯形成的方法在审

专利信息
申请号: 201910141612.5 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN109819893A 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 龚明霞;何龙飞;王日升;赵虎;吴星;王萌;赵曾菁;何志;罗海玲;周芸伊 申请(专利权)人: 广西壮族自治区农业科学院;广西大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 兰亚君
地址: 530007 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种外源GA3诱导山药试管薯形成的方法,包括以下步骤:(1)取山药无菌苗,接种于添加GA3的试管薯诱导培养基中,GA3的浓度为0.2‑2.5mg/L;(2)在培养基中进行培养,培养条件为:温度20‑30℃、光强1500‑2000lux,光照周期为光照10‑14h·d‑1,黑暗10‑14h·d‑1,培养一段时间形成试管薯。本发明外源GA3诱导山药试管薯形成的方法,山药试管薯诱导形成快,接种后10天就有小薯开始形成。试管薯的诱导率较高,为97‑100%。且试管的质量较好,在培养基上诱导培养60天后,单个试管薯平均重量在0.23‑0.42g之间。
搜索关键词: 试管薯 山药 培养基 外源 诱导 试管薯诱导 接种 光照周期 培养条件 诱导培养 无菌苗 诱导率 试管 光强 小薯 光照 黑暗
【主权项】:
1.一种外源GA3诱导山药试管薯形成的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)取山药无菌苗,接种于添加GA3的试管薯诱导培养基中,GA3的浓度为0.2‑2.5mg/L;(2)在培养基中进行培养,培养条件为:温度20‑30℃、光强1500‑2000lux,光照周期为光照10‑14h·d‑1,黑暗10‑14h·d‑1,培养一段时间形成试管薯。
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