[发明专利]一种闪存器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910142572.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109728099A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张超然;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种闪存器件及其制造方法，该闪存器件包括半导体衬底、浮栅、栅堆叠层和擦除栅，其中，浮栅形成在衬底上，浮栅的一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，仅覆盖所述字线区一侧的浮栅上形成有栅堆叠层，其中栅堆叠层包括层叠的隔离层和控制栅，擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，擦除栅区一侧的浮栅上覆盖有擦除栅。在本申请实施例中，可以通过为擦除栅施加电压进行浮栅中电子的擦除，由于擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，则擦除栅区一侧的浮栅具有更多的尖角，这样在擦除栅上施加电压，将更容易擦除浮栅中的电子，因此擦除效率得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅 擦除栅 闪存器件 栅堆叠 阶梯结构 施加电压 字线区 擦除 衬底 擦除效率 隔离层 控制栅 覆盖 尖角 半导体 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件，其特征在于，包括：半导体衬底；所述衬底上的浮栅，所述浮栅一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；仅覆盖所述字线区一侧的浮栅的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构；覆盖所述擦除栅区一侧的浮栅的擦除栅。
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