[发明专利]制作非对称低中压器件的方法及非对称低中压器件在审
| 申请号： | 201910142611.2 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613533A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作非对称低中压器件的方法及非对称低中压器件，其中方法包括：在非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱；在N阱上方的衬底区的上表面制作闸极，闸极与P阱无重合区域；从P阱上方的衬底区的上表面打开窗口，并大角度注入第一掺杂离子形成第一掺杂区；从P阱上方的衬底区的上表面以小角度注入第二掺杂离子至第一掺杂区内形成第二掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区在横向上的间隔形成沟道。本发明通过在第一掺杂区和第二掺杂区间形成的沟道，与传统的非对称低中压器件中的沟道相比，沟通长度变短，有效地降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 对称 低中压 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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