[发明专利]一种存算一体芯片以及提高存算一体芯片良率的方法在审
| 申请号： | 201910143141.1 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111611112A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王绍迪 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/20 | 分类号： | G06F11/20;G11C29/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存算一体芯片以及提高存算一体芯片良率的方法，该存算一体芯片包括闪存处理阵列、地址重映射模块及其连接的地址信号缓冲模块、行地址译码器和列地址译码器；该闪存处理阵列包括：闪存单元阵列以及冗余闪存单元阵列；该地址重映射模块接收输入地址信号，并在输入地址中检测到坏元地址时进行地址重映射，产生重映射之后的地址信号并输至该行地址译码器和该列地址译码器，从而利用冗余闪存单元阵列的地址替换该坏元地址，即：通过设置冗余闪存单元阵列，利用冗余闪存单元阵列的地址替换坏元地址，进而在实际工作时，用冗余闪存单元所在行和所在列替换坏元所在行和所在列，使存算一体芯片正常工作，提高芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一体 芯片 以及 提高 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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