[发明专利]金属薄膜图形的制造方法有效
| 申请号： | 201910144355.0 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109911843B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属薄膜图形的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成金属薄膜。步骤二、进行CVD吹扫处理来释放所述金属薄膜的应力。步骤三、进行光刻刻蚀形成金属薄膜图形。本发明能防止在金属薄膜图形尤其是小线宽的图形中产生金属薄膜翘曲，进而防止金属薄膜剥落。本发明能很好的应用于MEMS的桥梁结构中，避免TIN材料形成的金属薄膜的应力过大引起的桥梁结构的翘曲，从而有利于后道封装。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 图形 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜图形的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成金属薄膜；步骤二、将所述半导体衬底放入到CVD工艺腔中进行CVD吹扫处理来释放所述金属薄膜的应力；步骤三、将所述半导体衬底取出，对所述金属薄膜进行光刻刻蚀形成金属薄膜图形。
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