[发明专利]一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201910144770.6 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109887901B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王乐平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法，提供一金属熔丝，在金属熔丝上淀积层间膜；在层间膜上形成顶部金属层，顶部金属层的上下表面分别具有氮化钛层；对顶部金属层进行刻蚀，形成焊垫和位于金属熔丝上方的保护图形；淀积钝化层后，在焊垫上方和保护图形上方定义刻蚀窗口；按照刻蚀窗口进行刻蚀用以去除焊垫上表面的氮化钛，并利用保护图形作为掩膜在保护下层熔丝的同时在金属熔丝左右打开窗口用以释放该金属熔丝烧断时产生的生成物。本发明实现了既保护金属熔丝又在金属熔丝上开窗，减低成本的同时保护了下层的金属熔丝，但是在金属熔丝的左右边缘又打开了窗口，以便金属熔丝烧断时产生的生成物及时的释放，以免聚集在原地形成短路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 金属 熔丝被 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：步骤一、提供一层间膜，所述层间膜内置一金属熔丝；步骤二、在所述层间膜上形成顶部金属层，所述顶部金属层的上下表面分别具有氮化钛层；步骤三、对所述顶部金属层进行刻蚀，形成焊垫和位于所述金属熔丝上方的保护图形；步骤四、在所述焊垫和保护图形的上淀积钝化层，之后在所述焊垫上方和所述保护图形上方光刻定义刻蚀窗口；步骤五、按照所述刻蚀窗口进行刻蚀用以去除所述焊垫上表面的氮化钛，并利用保护图形作为掩膜在保护下层金属熔丝的同时在所述金属熔丝左右打开窗口用以释放该金属熔丝烧断时产生的生成物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910144770.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
