[发明专利]一种MEMS桥梁结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910144781.4 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109928357A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS桥梁结构及其形成方法，包括衬底和位于衬底上的含钛薄膜层；位于含钛薄膜层上的氧化硅薄膜层以及位于氧化硅薄膜层上的复合薄膜层。MEMS桥梁结构的形成方法包括：提供一衬底，在衬底上形成含钛薄膜层；在含钛薄膜层上形成氧化硅薄膜层；在氧化硅薄膜层上形成复合薄膜层。通过在对桥梁结构应力的控制来中和几种薄膜应力：通过增加多种反作用应力的薄膜，应用于MEMS工艺中带桥梁结构的工艺中，可以有效降低桥梁结构释放以后引起的桥梁翘曲，从而影响后续封装测试。既不影响整体桥梁结构的厚度，同时又有利于后续光刻工艺对准及后续蚀刻沟道的控制。由于采用多种复合薄膜，薄膜的应力被多层薄膜中和，防止桥梁翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 桥梁结构 氧化硅薄膜层 含钛薄膜 衬底 薄膜 复合薄膜层 翘曲 中和 蚀刻 多层薄膜 封装测试 复合薄膜 光刻工艺 桥梁 沟道 对准 释放 应用 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS桥梁结构，其特征在于，至少包括：衬底；位于所述衬底上的含钛薄膜层；位于所述含钛薄膜层上的氧化硅薄膜层；位于所述氧化硅薄膜层上的复合薄膜层。
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