[发明专利]使用薄膜晶体管的可重配置的互连布置在审
| 申请号： | 201910145003.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197820A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | A.A.沙尔马;J.T.卡瓦列罗斯;G.德维;W.拉赫马迪;R.皮拉里塞蒂 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了使用薄膜晶体管的可重配置的互连布置。本文中所公开的是包括薄膜晶体管（TFT）的可重配置的互连布置。示例性的布置包括被提供在半导体衬底之上的TFT，所述布置包括在TFT与半导体衬底之间的一个或多个金属互连层，以及被提供在TFT的与面向半导体衬底的侧相对的侧之上的一个或多个金属互连层。将TFT集成在互连布置的金属互连层中间有利地允许通过控制被施加到TFT的栅极电极的电压来控制在各种电路元件之间的电连接性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 薄膜晶体管 金属互连层 可重配置 衬底 半导体 电连接性 电路元件 栅极电极 施加 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底之上的第一层中的第一晶体管；以及在半导体衬底之上的第二层中的第二晶体管，第二层不同于第一层，其中第二晶体管是薄膜晶体管。
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