[发明专利]用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法在审
| 申请号： | 201910145155.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111211062A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 金江山;李在德 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;钱慰民 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法。实施例提供了一种用于测量晶片的表面上的颗粒的方法，所述方法包括：将晶片设置在台上并旋转所述台上的晶片；将激光照射在旋转晶片的表面的中心的第一区域、所述第一区域和第三区域之间的第二区域、以及其边缘的第三区域；并且测量从所述晶片的所述第一至第三区域反射的激光，其中照射在所述第二区域中的激光的第二输出大于照射在所述第一区域中的激光的第一输出，并且照射在所述第三区域中的激光的第三输出大于照射在所述第二区域中的激光的所述第二输出。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 晶片 表面上 颗粒 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
