[发明专利]一种干法黑硅片的高效量产制备方法

摘要

本发明公开了一种干法黑硅片的高效量产制备方法，包括以下步骤：步骤一，去除损伤层：采用酸腐蚀或者碱腐蚀的方法，将硅片表面的损伤层去除；步骤二，清洗：将去除损伤层的硅片进行清洗，去除其表面多孔硅以及药液残留；步骤三，磷扩散吸杂：采用浓磷扩散在步骤二得到的硅片表面形成重掺杂区，吸收硅片体内杂质；步骤四，去除扩散吸杂层：采用碱腐蚀的方法，去除扩散吸杂层；步骤五，制备黑硅片：采用RIE黑硅工艺制备黑硅片；步骤六，修饰绒面：对步骤五得到的表面具有纳米孔洞的黑硅片进行修饰，得到黑硅片。本发明成本低，易于量产，可以显著提升硅片品质，从而提高多晶电池效率，增加多晶产品的市场竞争力。

主权项

1.一种干法黑硅片的高效量产制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，去除损伤层：采用酸腐蚀或者碱腐蚀的方法，将硅片表面的损伤层去除；步骤二，清洗：将去除损伤层的硅片进行清洗，去除其表面多孔硅以及药液残留；步骤三，磷扩散吸杂：采用浓磷扩散在步骤二得到的硅片表面形成重掺杂区，吸收硅片体内杂质；步骤四，去除扩散吸杂层：采用碱腐蚀的方法，去除扩散吸杂层；步骤五，干法黑硅制备：采用RIE黑硅工艺制备黑硅片；步骤六，修饰绒面：对步骤五得到的表面具有纳米孔洞的黑硅片进行修饰，得到黑硅片。