[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置具有包括元件范围和周边范围的半导体衬底。半导体衬底包括：体区，其布置在元件范围内；p型深区，其从元件范围跨周边范围布置，从半导体衬底的上表面分布到比每个栅极沟槽的下端深的位置，并且包含端栅极沟槽；以及p型耐压区，其布置在周边范围内，并且从上表面分布到比p型深区的下端浅的位置。p型深区内的p型杂质浓度在从体区朝向p型耐压区的方向上增加。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底，其包括元件范围和设置在所述元件范围之外的周边范围，在所述元件范围中，多个栅极沟槽设置在所述半导体衬底的上表面上；上部电极，其设置在所述半导体衬底的所述上表面上；下部电极，其设置在所述半导体衬底的下表面上；以及栅电极，所述栅电极中的每个布置在每个栅极沟槽内并且通过栅极绝缘膜与所述半导体衬底电绝缘，其中所述半导体衬底包括：n型发射极区，其布置在所述元件范围内，连接至所述上部电极，并且与所述栅极绝缘膜接触；p型体区，其布置在所述元件范围内，并且在所述n型发射极区下方与所述栅极绝缘膜接触；p型深区，其从所述元件范围跨所述周边范围布置，从所述上表面分布到比每个栅极沟槽的下端深的位置，并且包含所述多个栅极沟槽中的最靠近所述周边范围设置的端栅极沟槽；p型耐压区，其布置在所述周边范围内，并且从所述上表面分布到比所述p型深区的下端浅的位置；n型漂移区，其从所述元件范围跨所述周边范围布置，在所述p型体区下方与所述栅极绝缘膜接触，通过所述p型体区与所述n型发射极区分隔开，从下方与所述p型深区接触，并从下方与所述p型耐压区接触；p型集电极区，其布置在所述n型漂移区下方，并与所述下部电极接触；以及n型阴极区，其布置在所述n型漂移区下方，并与所述下部电极接触，并且所述p型深区内的p型杂质浓度在从所述p型体区朝向所述p型耐压区的方向上增加。