[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910146686.8 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110943084B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄仲麟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、一阻障层、及一导电层。该半导体基材具有多个凸台。该介电层设于该半导体基材上且具有多个分别设于所述凸台上的区域。该阻障层形成于该凸台的一第一侧面、该区域的一第二侧面、该半导体基材的邻近该第一侧面的一上表面、及该介电层的一邻近于该第二侧面的正面之上。该导电层具有一基底及多个突出部，该多个突出部从该基底伸出，该多个突出部接触设于该上表面、该第一侧面、该第二侧面之上的该阻障层，且该基底与所述突出部的晶粒尺寸一致。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910146686.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：透视型显示装置
- 下一篇：用于测量弯曲的设备及方法
