[发明专利]半导体存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910148368.5 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110911408A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 山下真司;茨木聪一郎 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种具备不良情况更少的新的结构的半导体存储器及其制造方法。实施方式的半导体存储器例如具备基板、存储器元件、控制器和遮蔽层。基板具有第一面。存储器元件安装在第一面上。控制器安装在第一面上。遮蔽层设置在第一面上且位于第一面与控制器的至少一部分之间，抑制α射线的射入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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