[发明专利]声表面波器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910148647.1 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111628748B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐;夏长奉;周国平;张新伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H01L41/332;H01L41/29 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及声表面波器件制备方法以及由该制备方法制备而成的声表面波器件，该制备方法包括：在半导体基底上形成沟槽阵列；热退火使沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且半导体基底在空腔上方连接起来，将空腔封闭；及在空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与压电薄膜连接的金属电极，压电薄膜包括压电材料。通过上述制备方法形成的声表面波器件，其半导体基底内部具有空腔，可以隔断压电薄膜激励出的体声波，避免接收端压电薄膜的寄生效应，提高声表面波器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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