[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201910149068.9 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109943814B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C5/04;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe‑Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 形成 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在通过激光显微镜评价的与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe‑Pt合金相的与溅射面垂直的方向的平均厚度为10μm以上且100μm以下，Fe‑Pt合金相的与溅射面水平的方向的平均长度为20μm以上且400μm以下，所述Fe‑Pt合金相的平均厚度为通常比所述Fe‑Pt合金相的平均长度更小的值。
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