[发明专利]GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法

摘要

本发明提供了一种GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法，制备方法依次包括下列步骤：1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaAs基光电器件外延层；2)，在所述GaAs基光电器件外延层上制备多个第一电极，将所述多个第一电极中的任意相邻两个第一电极之间的GaAs基光电器件外延层去除以形成多个刻蚀间道；3)，将过渡基板粘附在所述多个第一电极的表面上；4)，移除所述非金属衬底；5)，在所述GaAs基光电器件外延层的表面上制备具有至少一个第二电极的第二电极层；6)，在所述第二电极层的表面上制备金属基板组件；7)，移除所述过渡基板；步骤8)，分片。本发明的制备方法提高了成品率，降低了工艺成本。