[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

摘要

公开了一种LDMOS器件及其制造方法，包括形成衬底以及位于衬底上方的外延层，衬底与外延层具有第一导电类型；在外延层中形成下沉区，下沉区至少部分接触衬底；在外延层中形成具有第一导电类型的埋层，埋层覆盖下沉区；在外延层上依次形成栅氧化层以及栅极；在栅极下方形成彼此靠近的具有第二导电类型的漂移区和第一导电类型的沟道区，漂移区远离下沉区；分别在沟道区形成源区，在漂移区形成漏区，源区通过下沉区与衬底连接，埋层形成于栅极靠近源区的一侧。本发明通过光刻注入一中等掺杂浓度的与沟道区导电类型一致的埋层，埋层位于沟道下方并覆盖下沉区，使得寄生晶体管内的基区电阻下降，避免了因寄生晶体管开启烧毁器件。

主权项

1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括形成衬底以及位于衬底上方的外延层，所述衬底与所述外延层具有第一导电类型；在所述外延层中的一侧形成下沉区，所述下沉区至少部分接触所述衬底，所述下沉区具有第一导电类型；在所述外延层中形成具有第一导电类型的埋层，所述埋层覆盖所述下沉区；在所述外延层上方依次形成栅氧化层以及栅极；在所述栅极下方形成彼此靠近的具有第二导电类型的漂移区和第一导电类型的沟道区；分别在所述沟道区形成源区，在所述漂移区形成漏区，所述源区通过所述下沉区与所述衬底连接，其中，所述埋层位于所述沟道区下方，所述埋层形成于所述栅极靠近源区的一侧。