[发明专利]锑化铟薄膜太赫兹超表面及其热调谐方法、制备方法有效
| 申请号： | 201910149416.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109683213B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨大全;张超;李小刚;兰楚文 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 张函;王春伟 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种锑化铟薄膜太赫兹超表面及其热调谐方法、制备方法，通过将太赫兹超表面设置为矩形基板层，柱阵列结构层，以及锑化铟薄膜三层结构，能够实现在温度改变时，锑化铟薄膜的介电常数随之改变，从而使本发明实施例的太赫兹超表面的共振频率发生改变，因此，本发明实施例的太赫兹超表面能够通过改变温度改变共振频率，同时增加太赫兹波共振频率的调谐范围，并且，本发明实施例的太赫兹超表面制备方法简单，适合广泛地应用于光电制造领域，从而提高太赫兹超表面的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 锑化铟薄膜 调谐 共振频率 制备 表面设置 表面制备 光电制造 介电常数 矩形基板 三层结构 太赫兹波 结构层 柱阵列 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于锑化铟薄膜的太赫兹超表面，其特征在于，包括：矩形基板层，柱阵列结构层，以及锑化铟薄膜，其中，所述柱阵列结构层中的各柱状阵列结构体排列于所述矩形基板层上，所述锑化铟薄膜覆盖于所述柱状阵列结构体的上表面以及所述矩形基板层的上表面。
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