[发明专利]包括感测引线的化合物半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910149868.0 申请日: 2016-03-30
公开(公告)号: CN110060990A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: R·奥特伦巴;K·席斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/62;H01L29/778
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周家新
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 一种装置,所述装置包括化合物半导体芯片,所述化合物半导体芯片包括控制电极、第一负载电极和第二负载电极;第一引线,所述第一引线电耦接至所述控制电极;第二引线,所述第二引线电耦接至所述第一负载电极;第三引线,所述第三引线电耦接至所述第一负载电极。所述第三引线配置成能够提供来自所述第一负载电极的感测信号,所述感测信号是基于所述化合物半导体芯片的物理参数,并且,所述控制电极配置成能够接收基于所述感测信号的控制信号。第四引线,所述第四引线电耦接至所述第二负载电极。
搜索关键词: 负载电极 电耦 化合物半导体芯片 感测信号 控制电极 化合物半导体装置 控制信号 物理参数 引线配置 感测 配置
【主权项】:
1.一种装置,所述装置包括:引线框架,所述引线框架包括芯片垫和多个引线;化合物半导体芯片,所述化合物半导体芯片布置在所述芯片垫的第一表面上并包括栅极、源极和漏极;封装材料,所述封装材料覆盖所述化合物半导体芯片和所述芯片垫,其中,所述芯片垫的与所述第一表面相反的第二表面从所述封装材料暴露;所述引线框架的第一引线,所述第一引线电耦接至所述栅极;所述引线框架的第二引线,所述第二引线电耦接至所述源极;所述引线框架的第三引线,所述第三引线电耦接至所述源极,其中,所述第三引线配置成能够向栅极驱动器电路提供代表所述源极的电位的感测信号,其中,所述栅极驱动器电路配置成能够基于所述感测信号驱动所述栅极;以及所述引线框架的第四引线,所述第四引线电耦接至所述漏极。
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