[发明专利]在多个侧面上具有栅极堆叠体的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201910150030.3 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110323281A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | S·H·宋;A·A·夏尔马;V·H·勒;G·杜威;J·卡瓦利罗斯;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管(TFT)器件，其中TFT包括多个包括金属氧化物的堆叠结构。在示例中，多个堆叠结构中的任何两个相邻结构可以由对应的居间结构分开。在示例中，TFT还可以包括多个堆叠结构的至少第一侧和第二侧上的栅极电介质材料。在示例中，TFT还可以包括：包括第一段和第二段的栅极电极，其中，所述栅极电极的第一段和第二段可以分别在所述多个堆叠结构的第一侧和第二侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠结构 薄膜晶体管 栅极电极 栅极电介质材料 金属氧化物 栅极堆叠体 相邻结构 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管(TFT)设备，包括：包括金属氧化物的多个堆叠结构，其中，所述多个堆叠结构中的两个相邻结构由居间结构分开；所述多个堆叠结构的至少第一侧和第二侧上的栅极电介质材料；以及包括第一段和第二段的栅极电极，其中，所述栅极电极的所述第一段和所述第二段分别在所述多个堆叠结构的所述第一侧和所述第二侧上。
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