[发明专利]一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201910150099.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109896543B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 牛刚;代立言;任巍;赵金燕;武和平;王延昆;赵慧丰;刘逸为;王玲艳;史鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01G23/00 | 分类号： | C01G23/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 远程 外延 生长 转移 钛酸钡 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底；步骤2，在衬底表面覆盖一层石墨烯；步骤3，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜；步骤4，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。
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