[发明专利]三维堆叠封装集成TR模组

摘要

本发明公开的一种三维堆叠封装TR模组，旨在提供一种兼顾功能拓展、空间电磁隔离和可实现性的毫米波TR模组。本发明通过下述技术方案予以实现：上多层介质基板中构建一个嵌入集成四通道多功能数模混合芯片的上基板矩形开腔体，腔内台阶上沿Y方向两侧长边和沿X方向一侧宽边上印制微带接口，基板内同时集成位于基板底面的同轴接口和低频接口。在下多层介质基板中分别构建装配双通道TR芯片的矩形开腔体，腔内台阶上印制平行于X方向的两对独立延展的下基板微带接口，以及与之对应连通并分别馈至下多层介质基板顶部和底部的同轴接口。利用上下基板对位堆叠和多层基板内的垂直互联孔及走线，实现上下两个集成空间内芯片的高低频信号互联和对外馈通。

主权项

1.一种三维堆叠封装TR模组，包括：在Z向堆叠组装的上多层介质基板(1)，下多层介质基板(2)和用于气密封装上多层介质基板(1)内开腔的金属盖板(3)，其特征在于：上多层介质基板(1)中制有一个嵌入集成了四通道多功能数模混合Corechip芯片(4)的上基板矩形开腔体，矩形开腔内台阶上，沿Y方向两侧长边和沿X方向一侧宽边上分别印制有两两对称，一个独立的微带接口(5)，同时在上多层介质基板(1)底部印制电路面制作有与上述上基板微带接口(5)连通的上基板同轴接口(6)，以及用于Corechip芯片(4)低频馈电的上基板低频接口(7)；在下多层介质基板(2)中制有两个相向对称中心面，分别装配有双通道TR芯片(8)的下基板矩形开腔体；并在下多层介质基板(2)矩形开腔台阶上印制有平行于X方向的两对下基板微带接口(9)和沿Y方向左右对称分布的两对下基板微带接口(11)，以及位于下多层基板底面且与下基板微带接口(9)相互馈通的下基板同轴接口(10)，位于下多层基板顶面且与下基板微带接口(11)相互馈通的下基板同轴接口(12)；四通道多功能数模混合Corechip芯片(4)和双通道TR芯片(8)通过多层基板内的Z向金属化过孔和层间走线并采用上下基板对位堆叠方式完成互连；由封装体内部和对外的高低频互联接口，实现整个三维堆叠TR模组内部和对外的高低频信号馈通。