[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法在审
| 申请号： | 201910151733.8 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109728143A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王思博;胡欢欢;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管制作方法，其中，发光二极管芯片包括依次层叠设置的发光二极管晶圆、电流扩展层和电流阻挡层。其中，所述发光二极管晶圆开设有台阶；所述发光二极管芯片还包括P电极和N电极，所述P电极设置于所述电流扩展层，所述N电极设置于所述台阶；所述电流阻挡层为分布式布拉格反射镜结构。本申请提供的发光二极管芯片能够提高亮度和发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 发光二极管 电流扩展层 电流阻挡层 晶圆 分布式布拉格反射镜 发光效果 依次层叠 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的发光二极管晶圆(100)、电流扩展层(200)和电流阻挡层(300)，其中，所述发光二极管晶圆(100)开设有台阶(110)；所述发光二极管芯片还包括P电极(410)和N电极(420)，所述P电极(410)设置于所述电流扩展层(200)，所述N电极(420)设置于所述台阶(110)；所述电流阻挡层(300)为分布式布拉格反射镜结构。
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