[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法及显示装置在审
| 申请号： | 201910151857.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109873027A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王龙彦;朱晖 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕;南霆 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法及显示装置，该金属氧化物半导体薄膜晶体管包括：衬底；栅极金属层，形成在所述衬底上；栅极绝缘层，形成在所述栅极金属层上；沟道，形成在所述栅极绝缘层上；源漏电极，形成在所述沟道上，所述沟道氧含量高于所述源漏电极氧含量，所述沟道与所述源漏电极材料为含同种金属元素的金属氧化物半导体材料。在制作过程中沟道和源漏电极连续沉积，工艺相对简单，可以在制造过程中节省成本。在刻蚀过程中，可以省去刻蚀阻挡层，结构更加简单。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 源漏电极 金属氧化物半导体薄膜 晶体管 栅极金属层 栅极绝缘层 显示装置 衬底 金属氧化物半导体材料 刻蚀阻挡层 金属元素 刻蚀过程 连续沉积 制造过程 制作过程 制作 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极金属层，形成在所述衬底上；栅极绝缘层，形成在所述栅极金属层上；沟道，形成在所述栅极绝缘层上；源漏电极，形成在所述沟道上；其中，所述沟道与所述源漏电极材料为含同种金属元素的金属氧化物半导体材料，且所述沟道氧含量高于所述源漏电极氧含量。
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