[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910152043.4 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627818B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，阱区和漂移区交界处的基底上形成有初始金属栅结构，初始金属栅结构包括初始功函数层，初始金属栅结构一侧的阱区内形成有源区，初始金属栅结构另一侧的漂移区内形成有漏区；去除位于漂移区基底上靠近漏区一侧部分宽度的初始金属栅结构，形成开口，剩余初始金属栅结构作为金属栅结构，剩余初始功函数层作为功函数层；对开口露出的功函数层进行离子掺杂处理，当形成NMOS晶体管时，离子掺杂处理用于增大靠近漏区一侧功函数层的功函数，当形成PMOS晶体管时，离子掺杂处理用于减小靠近漏区一侧功函数层的功函数；形成填充开口的隔离结构。本发明有利于改善热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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