[发明专利]GaN层叠体及其制造方法有效
| 申请号： | 201910153241.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110219048B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/22 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供通过利用HVPE使GaN层在GaN基板上生长而得到的新型GaN层叠体及其制造方法。GaN层叠体具有：GaN基板，其由GaN单晶构成，且相对于主面最近的低指数晶面为c面；以及GaN层，其是在GaN基板的前述主面上外延生长而成的，GaN层的表面具有由宏观台阶和宏观平台交替排列而成的宏观台阶‑平台结构，宏观台阶和宏观平台中的一者具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着与m轴方向正交的方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构，宏观台阶和宏观平台中的另一者具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着与a轴方向正交的方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构。 | ||
| 搜索关键词： | gan 层叠 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN层叠体，其具有：GaN基板，其由GaN单晶构成，且相对于主面最近的低指数晶面为c面；以及GaN层，其是在所述GaN基板的所述主面上进行外延生长而成的，所述GaN层的表面具有由宏观台阶和宏观平台交替排列而成的宏观台阶‑平台结构，所述宏观台阶和所述宏观平台中的一者具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着与m轴方向正交的方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构，所述宏观台阶和所述宏观平台中的另一者具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着与a轴方向正交的方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构。
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