[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910153446.0 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021659A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;葛永晖;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述沟道层和所述势垒层依次层叠在所述衬底上，所述源极、所述漏极和所述栅极分别设置在所述势垒层上，所述源极和所述漏极均与所述势垒层形成欧姆接触，所述栅极与所述势垒层形成肖特基接触；所述沟道层包括第一子层和插入在所述第一子层中的第二子层，所述第一子层为未掺杂的GaN层，所述第二子层为BeGaN层。本发明通过在未掺杂的GaN层中插入BeGaN层，有利于沟道层(GaN)和势垒层(AlGaN)的异质结界面处形成有高浓度、高迁移率的二维电子气。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 子层 沟道层 高电子迁移率晶体管 漏极 源极 未掺杂 衬底 制备 半导体技术领域 二维电子气 肖特基接触 异质结界面 高迁移率 欧姆接触 依次层叠 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管包括衬底(10)、沟道层(21)、势垒层(22)、源极(31)、漏极(32)和栅极(33)，所述沟道层(21)和所述势垒层(22)依次层叠在所述衬底(10)上，所述源极(31)、所述漏极(32)和所述栅极(33)分别设置在所述势垒层(22)上，所述源极(31)和所述漏极(32)均与所述势垒层(22)形成欧姆接触，所述栅极(33)与所述势垒层(22)形成肖特基接触；所述沟道层(21)包括第一子层(21a)和插入在所述第一子层(21a)中的第二子层(21b)，所述第一子层(21a)为未掺杂的GaN层，所述第二子层(21b)为BeGaN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910153446.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
