[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及形成方法，结构包括：衬底，衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域和第二区域位于第三区域两侧且与第三区域相邻，第一区域上有第一鳍部，第二区域上有第二鳍部，第三区域上有第三鳍部，第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，衬底上有隔离层，隔离层还位于第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面，且隔离层表面低于第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面；位于第一鳍部上的第一外延层；位于第二鳍部上的第二外延层；位于第三鳍部上的第三外延层，第三外延层的两侧与第一外延层和第二外延层相接触；位于第一外延层、第二外延层和第三外延层上的导电结构。所述半导体结构性能较好。