[发明专利]SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法在审
| 申请号： | 201910155069.4 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110228809A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 小野寺教夫;佐藤敬辅;佐藤良太 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | C01B32/963 | 分类号： | C01B32/963;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 满凤;金龙河 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法。本发明的目的在于提供强度和耐磨损性优良的SiC构件的制造方法。其包括：通过化学气相沉积(CVD)法形成由β‑SiC构成的SiC构件(10)的CVD工序步骤1；和在非活性气氛下在高于2000℃且2200℃以下的温度下对SiC构件(10)进行热处理而使β‑SiC局部地转化为α‑SiC的热处理工序步骤2。 | ||
| 搜索关键词： | 基板保持构件 制造 化学气相沉积 非活性气氛 热处理工序 热处理 工序步骤 耐磨损性 转化 | ||
【主权项】：
1.一种SiC构件的制造方法，其特征在于，包括：通过化学气相沉积法即CVD法形成由β‑SiC构成的SiC构件的工序；和在非活性气氛下在高于2000℃且2200℃以下的温度下对所述SiC构件进行热处理而使所述β‑SiC局部地相变为α‑SiC的工序。
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