[发明专利]用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2 有效
| 申请号： | 201910155516.6 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110357143B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王冬;唐明聪;孙墨杰;王世杰;张庭 | 申请（专利权）人： | 东北电力大学 |
| 主分类号： | C01G5/00 | 分类号： | C01G5/00;C01G39/06;G01N27/12 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 白冬冬 |
| 地址： | 132012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2‑Ag2S，属于半导体传感器技术领域。本发明的目的是以硫化物半导体为模板的MoS2‑Ag2S电阻型传感器用于检测Hg(0)的用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2‑Ag2S。本发明取去离子水；称取硝酸银，钼酸铵，六次甲基四安，硫化钠；在搅拌状态下分别将称量的药品逐一溶解；在完全溶解后搅拌10 min，然后移入反应釜中，水热200℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。本发明对Hg(0)有良好的气敏性能。最终能对Hg(0)的含量进行检测，使得检测下限可达0.001mg/m3。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 hg 传感器 敏感 材料 mos base sub | ||
【主权项】：
1.一种用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2‑Ag2S，其特征在于：取70mL去离子水；准确称取4mmol硝酸银，1mmol钼酸铵，4mmol六次甲基四安，9mmol硫化钠；在搅拌状态下分别将称量的药品逐一溶解；在完全溶解后搅拌10min，然后移入100mL反应釜中，水热200℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。
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