[发明专利]半导体器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201910156253.0 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN111640660B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 金吉松 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体器件及其形成方法,形成方法包括:提供待刻蚀层,待刻蚀层包括若干个相互分立的第一区,若干个第一区沿第一方向排布,第一区的待刻蚀层表面具有第一掩膜层;在各个第一区的第一掩膜层内形成至少一个第一开口;在第一开口的侧壁形成侧墙;形成所述侧墙之后,在第一开口内形成填充层,填充层充满第一开口;形成填充层之后,去除第一开口侧壁的侧墙,在第一区的填充层与第一掩膜层之间形成第二开口;以填充层和第一掩膜层为掩膜,刻蚀第二开口底部的待刻蚀层,在待刻蚀层内形成第一分割槽,第一分割槽在第二方向上分割第一区的第一掩膜层,第二方向与第一方向垂直。所述方法能够降低半导体器件的制造成本。
搜索关键词: 半导体器件 及其 形成 方法
【主权项】:
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