[发明专利]图案化半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910156440.9 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110610898A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王伟任;潘兴强;张竞予;蔡万霖;许仲豪;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成第一遮罩层于下方层上；图案化第一遮罩层以形成第一开口；形成非顺应膜于第一遮罩层上，其中形成于第一遮罩层的上表面上的非顺应膜的第一厚度，大于形成于第一遮罩层的侧壁表面上的非顺应膜的第二厚度；进行除渣制程，其中除渣制程移除第一开口中的非顺应膜的部分；以及采用图案化的第一遮罩层与非顺应膜的保留部分作为蚀刻遮罩，并蚀刻下方层。 | ||
| 搜索关键词： | 遮罩层 蚀刻 图案化 下方层 除渣 制程 开口 半导体装置 侧壁表面 上表面 移除 与非 遮罩 保留 | ||
【主权项】：
1.一种图案化半导体装置的方法，包括：/n形成一第一遮罩层于一下方层上；/n图案化该第一遮罩层以形成一第一开口；/n形成一非顺应膜于该第一遮罩层上，其中形成于该第一遮罩层的上表面上的该非顺应膜的一第一厚度，大于形成于该第一遮罩层的侧壁表面上的该非顺应膜的一第二厚度；/n进行一除渣制程，其中该除渣制程移除该第一开口中的该非顺应膜的部分；以及/n采用图案化的该第一遮罩层与该非顺应膜的保留部分作为一蚀刻遮罩，并蚀刻该下方层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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