[发明专利]一种功率半导体器件在审
| 申请号： | 201910156443.2 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109786472A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李述洲;晋虎;孙永生;高良 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 405200*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂层 功率半导体器件 肖特基势垒层 衬底 大电流冲击 反向漏电流 电流浪涌 峰值电场 使用寿命 金属层 导通 堆叠 正向 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层。
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