[发明专利]倒T型隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201910156471.4 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109904218B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 韩茹;张海潮;王党辉;安建峰;黄小平;张萌;陈超 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 金凤 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种倒T型隧穿场效应晶体管，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层，SOI晶圆的衬底绝缘层上方为重掺杂源区、两个单晶硅薄膜和两个重掺杂漏区，两个单晶硅薄膜L型两侧分别有一个栅极绝缘层，栅极绝缘层的两侧分别有绝缘介质阻挡层，栅极绝缘层两侧且绝缘介质阻挡层的上方为栅极，两个栅极分别位于两侧绝缘介质阻挡层之上且分别与两侧栅极绝缘层接触；栅电极位于栅极上方；源电极位于重掺杂源区上方；漏电极位于重掺杂漏区上方。本发明具有良好的栅极控制能力，具有优秀的亚阈值特性和正向导通能力，使得器件保证在正向特性的同时，具有良好的低反向泄露电流和静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 型隧穿 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种倒T型隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述的倒T型隧穿场效应晶体管，包含SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层,SOI晶圆的衬底绝缘层上方为重掺杂源区、两个单晶硅薄膜和两个重掺杂漏区，其中重掺杂源区位于衬底绝缘层上方正中间，两个单晶硅薄膜均为L型，位于重掺杂源区的两侧，且相互对称，两个重掺杂漏区分别位于单晶硅薄膜的L型底部且紧贴SOI晶圆的衬底绝缘层的横向边的外沿，且位于衬底绝缘层的上方；两个单晶硅薄膜L型纵向边的两侧分别有一个栅极绝缘层，栅极绝缘层分别被L形单晶硅薄膜两面环绕；栅极绝缘层纵向边的两侧分别有绝缘介质阻挡层，绝缘介质阻挡层分别位于两个L形单晶硅薄膜横向边的上方，且分别与栅极绝缘层接触；栅极绝缘层纵向边的两侧且绝缘介质阻挡层的上方为栅极，两个栅极分别位于两侧绝缘介质阻挡层之上且分别与两侧栅极绝缘层接触；栅电极位于栅极上方；源电极位于重掺杂源区上方；漏电极位于重掺杂漏区上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910156471.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
