[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910158431.3 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110491938B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 木村重哉;吉田学史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n第一区域，包含SiC，包含第一部分区域、第二部分区域、和所述第一部分区域与所述第二部分区域之间的第三部分区域；/n第一电极，从所述第一部分区域向所述第一电极的方向沿第一方向；/n第二电极，从所述第二部分区域向所述第二电极的方向沿所述第一方向，从所述第一电极向所述第二电极的第二方向与所述第一方向交叉；/n第三电极，从所述第三部分区域向所述第三电极的方向沿所述第一方向，所述第三电极在所述第二方向的位置位于所述第一电极在所述第二方向的位置与所述第二电极在所述第二方向的位置之间；/n第二区域，包含Alx2Ga1-x2N，其中0.2≤x2<1；和/n第三区域，包含Alx3Ga1-x3N，其中x2<x3≤1，所述第三区域的至少一部分在所述第二方向设置于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二区域的至少一部分设置于所述第三区域与所述第一区域之间。/n
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