[发明专利]三维双连通多孔铜原位生长Cu2-xS电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910158899.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109894620A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张志佳;王宜霄;闫琳;于镇洋;黄钦;康建立 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | B22F3/26 | 分类号： | B22F3/26;B22F3/11;C01G3/12;H01M4/58;H01M4/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种三维双连通多孔铜原位生长Cu2‑xS电极材料的制备方法，包括如下步骤：1)配制铸膜液；2)刮膜；3)烧结；4)：称取质量比为3∶1～5∶1～2的NaOH、巯基乙醇和硫粉于三口烧瓶中，并加入无水乙醇100ml，将步骤3)中获得的平板铜膜放入三口烧瓶中并磁力搅拌24h，得到原位生长Cu2‑xS电极材料，其中平板铜膜与硫粉的质量比为1∶1～0.04。本发明所述的三维双连通多孔铜原位生长Cu2‑xS电极材料的制备方法简单且参数易于控制；可通过调控铜膜制备参数获得不同孔径分布和尺寸的多孔铜膜，进而可制备出不同负载量的Cu2‑xS负极材料；制备的电极材料具有较好的韧性、较高孔隙率、较高覆载率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 电极材料 原位生长 多孔铜 铜膜 连通 三维 三口烧瓶 质量比 硫粉 配制铸膜液 参数获得 磁力搅拌 负极材料 高孔隙率 孔径分布 无水乙醇 巯基乙醇 烧结 负载量 称取 放入 刮膜 调控 | ||
【主权项】：
1.一种三维双连通多孔铜原位生长Cu2‑xS电极材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)配制铸膜液：将铜粉、溶剂和致孔剂按溶剂和致孔剂按30∶20～25∶1.5～3的质量比放入三口烧瓶中，20～40℃搅拌5～10h直至均匀，配置成铸膜液；2)刮膜：将制备好的铸膜液倒在玻璃板上进行刮膜，调整刮膜棒厚度为100～250μm，刮出相应生坯厚度的膜，放入凝胶浴中交换溶剂获得多孔结构生坯，在真空干燥箱中干燥；3)烧结：将步骤2)中获得的生坯在管式炉中先通空气以1～5℃/min的速率升温到450～700℃，保温0.5～2h后自然降温，随后以5～10℃/min的速率在氩气和氢气环境下升温到450～700℃，保温0.5～2h后自然降温，获得三维双连通多孔铜平板膜；4)：称取质量比为3∶1～5∶1～2的NaOH、巯基乙醇和硫粉于三口烧瓶中，并加入一定量的无水乙醇，将步骤3)中获得的平板铜膜放入三口烧瓶中并磁力搅拌24h，得到原位生长Cu2‑xS电极材料，其中平板铜膜与硫粉的质量比为1∶1～0.04。
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