[发明专利]扇出封装POP机械附接方法领域在审

专利信息
申请号: 201910159141.0 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN110349944A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: D·奥沙利文;G·塞德曼;R·帕滕;B·魏达斯 申请(专利权)人: 英特尔IP公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及扇出封装POP机械附接方法领域。实施例包括半导体封装以及形成半导体封装的方法。一种半导体封装包括位于第一管芯和第一通孔之上及其周围的模制物。半导体封装具有设置在第一管芯的顶表面和/或模制物的顶表面上的第一再分布层的导电焊盘。半导体封装包括第二管芯,其具有耦合到第二管芯的底表面上的管芯焊盘的焊球,其中第二管芯的焊球耦合到第一再分布层。第一再分布层将第二管芯耦合到第一管芯,其中第二管芯具有第一边缘和第二边缘,并且其中第一边缘定位在第一管芯的占用区域内,第二边缘定位在第一管芯的占用区域外。
搜索关键词: 半导体封装 第二管 管芯 再分布层 耦合到 边缘定位 顶表面 模制物 附接 焊球 扇出 封装 占用 导电焊盘 管芯焊盘 通孔
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:模制物,位于第一管芯和第一通孔之上及其周围,其中,所述第一通孔延伸穿过所述模制物并与所述第一管芯的边缘相邻;第一再分布层,位于所述第一管芯的顶表面和所述模制物的顶表面中的至少一个上,其中,所述第一再分布层包括导电焊盘;以及第二管芯,具有耦合到所述第二管芯的底表面上的管芯焊盘的焊球,其中,所述第二管芯的所述焊球耦合到所述第一再分布层,其中,所述第一再分布层将所述第二管芯耦合到所述第一管芯,其中,所述第二管芯具有第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘,并且其中,所述第一边缘定位在所述第一管芯的占用区域内,并且第二边缘定位在所述第一管芯的所述占用区域外。
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