[发明专利]扇出型封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910160329.7 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111653493A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵海霖;周祖源;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，结构包括：衬底；封装单元，所述封装单元包括重新布线层及器件结构，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面，所述重新布线层的第一面具有介质层，所述器件结构连接于所述重新布线层的第二面，所述器件结构固定于所述衬底上。本发明提供了一种可以有效减小介质层去除过程中的翘曲度的封装结构及方法。本发明可以减小翘曲的影响，保证刻蚀速度和均匀性，提高产品收率。本发明可以避免传统工艺中晶圆边缘的介质层的翘曲及起皮等现象，从而避免介质层起皮等现象对腔室造成的污染。本发明可以采用电浆去胶工艺去除介质层，相比于昂贵的干法蚀刻设备来说，可大大降低设备及工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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