[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910160416.2 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110581131A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 金志昀;林衍廷;戴荣吉;李健玮;丁姮彣;刘威民;李彦儒;宋学昌;郑培仁;李启弘;徐梓翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一实施例为半导体结构。半导体结构包括基板。鳍状物位于基板上。鳍状物包括硅锗。界面层位于鳍状物上。界面层厚度大于0nm且小于或等于约4nm。源极/漏极区位于界面层上。源极/漏极区包含硅锗。 | ||
| 搜索关键词： | 界面层 鳍状物 源极/漏极区 半导体结构 硅锗 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n一基板；/n一鳍状物，位于该基板上，且该鳍状物包括硅锗并具有多个凹陷部分；/n一界面层，位于该鳍状物的该些凹陷部分上，且该界面层的厚度介于约1nm至约4nm之间；以及/n一源极/漏极区，位于该界面层上，且该源极/漏极区包括硅锗。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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