[发明专利]一种铋氧硫二维材料的制备方法及光电探测器

摘要

本发明提供了一种铋氧硫二维材料的制备方法及光电探测器，该制备方法包括步骤1：将硫脲分散在去离子水中，磁力搅拌至完全溶解后加入柠檬酸铋铵；步骤2：将步骤1中的溶液搅拌均匀后加入氢氧化钾，浓度为0.2至4.0 mol/L，并在室温下搅拌1至3 h；步骤3：将搅拌后的混合溶液转移至耐高温的对位聚苯反应釜中，并在25至220℃保温3至48 h；步骤4：用去离子水或无水乙醇两种溶剂交替清洗产物，交替清洗2至6次，从而制备Bi2O2S二维材料。本发明的有益效果是：本发明所制备的Bi2O2S二维材料，具有良好的光电性质，所制备的光电探测器，具有较高的光暗电流比，和良好的循环稳定性等特点。

主权项

1.一种铋氧硫二维材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硫脲分散在去离子水中，磁力搅拌至完全溶解后加入柠檬酸铋铵；步骤2：将步骤1中的溶液搅拌均匀后加入氢氧化钾，浓度为0.2至4.0mol/L，并在室温下搅拌1至3h；步骤3：将搅拌后的混合溶液转移至耐高温的对位聚苯反应釜中，并在25至220℃保温3至48h；步骤4：用去离子水或无水乙醇两种溶剂交替清洗产物，并以3000至10000转/分钟的转速离心3至8min，交替清洗2至6次，从而制备Bi₂O₂S二维材料；步骤5：将所获得的Bi₂O₂S二维材料分散在无水乙醇或去离子水中，在50至100℃保温数小时至材料完全烘干；步骤6：将所获得Bi₂O₂S二维材料分散在无水乙醇或去离子水中，经热喷涂后转移到硅片基底；步骤7：将表面附有Bi₂O₂S二维材料的硅片基底在氩气氛围管式炉中，在100至350℃下退火1至3h；步骤8：将金属掩膜版紧贴在表面附有Bi₂O₂S二维材料的硅片基底上，固定好后在基片表面蒸镀电极，以实现其在光电探测器上的应用。