[发明专利]具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910161795.7 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111647948B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李金彪;付红兵;吴义室;姚建年 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B29/64;C30B7/06;C07C209/82;C07C211/54;H01L51/46;G16C20/30;G16C20/70 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料应用表征领域，具体涉及具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用。本发明提供了一种由DPAVBi分子自组装所得的具有超高激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体，其可以有效进行激子－光子强耦合，且耦合强度可以高达1.2eV；同时，所述微纳晶体可以实现受激发射。这为最终实现有机微纳晶体中的玻色－爱因斯坦冷凝与极化激元激光奠定了基础，且其可作为极化激元器件方面的有效材料。本发明还提供了所述微纳晶体的制备方法，通过简便的溶剂交换法即可制备得到。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 激子 光子 耦合 强度 有机半导体 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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