[发明专利]一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法在审
| 申请号： | 201910163123.X | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109850842A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;石鹏飞;钱林茂;余丙军;贡健;陈超;郭杰 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理，以去除单晶硅样品表面的自然氧化层，并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面；S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后，依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗，以去除单晶硅表面污染；S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工，探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入‑分离操作，从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。该方法对加工环境无特殊要求，加工表面晶格保持完整，基底材料无残余损伤，加工获得的纳米坑结构具有高可靠服役性能；加工步骤简单且灵活性高，加工成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅表面 纳米坑 加工 去除 单晶硅样品 加工位置 无损 扫描探针显微镜 自然氧化层 超声清洗 分离操作 服役性能 腐蚀处理 基底材料 加工表面 加工步骤 接触压力 晶格缺陷 酒精溶液 去离子水 高可靠 硅原子 氢原子 放入 晶格 水中 探针 压入 羟基 冲洗 离子 清洗 损伤 污染 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理，以去除单晶硅样品表面的自然氧化层，并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面；S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后，依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗，以去除单晶硅表面污染；S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工，探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入‑分离操作，从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。
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