[发明专利]一种基于LED芯片生产加工的制造工艺

摘要

本发明公开了一种基于LED芯片生产加工的制造工艺，S1、清洗采用超声波清洗LED的支架，清洗参数为：超声振动频率20000赫兹，时间15‑30min，清洗完成后进行烘干，S2、提供一衬底，在衬底上生长半导体外延结构，形成LED晶圆，所述半导体外延结构包括从衬底向上依次设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层，涉及LED芯片加工技术领域。该基于LED芯片生产加工的制造工艺，通过提供一衬底，在衬底上生长半导体外延结构，以减小局部电流聚集对LED芯片使用效率、寿命等的影响，且在不牺牲有源层有效发光面积的情况下，有效解决电流阻挡层与第二金属电极对出射光的遮挡和吸收，通过清洗采用超声波清洗LED的支架，能够快速蒸发支架上的水分。

主权项

1.一种基于LED芯片生产加工的制造工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：S1、清洗采用超声波清洗LED的支架，清洗参数为：超声振动频率20000赫兹，时间15‑30min，清洗完成后进行烘干；S2、提供一衬底，在衬底上生长半导体外延结构，形成LED晶圆，所述半导体外延结构包括从衬底向上依次设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；S3、在半导体外延结构中的N型半导体层上形成N型半导体台面区，对LED晶圆沿着相邻芯粒中间进行激光划切，形成V型隔离沟槽，V型隔离沟槽包括从半导体外延结构延伸至衬底的第一斜面，分别在P型半导体层和N型半导体台面上制作P电极和N电极；S4、将LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上，在LED支架的相应位置点上银胶，用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上；S5、先在LED支架上点上银胶，然后用将LED芯片吸起移动位置,再安置在相应的支架位置上，银胶烧结的温度控制在140‑160℃,烧结时间为1.5‑2小时，用金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线，开启焊机进行压焊；S6、选用环氧支架对LED芯片进行点胶封装固化封装环氧,环氧固化条件在120‑135℃,1‑1.5小时，固化操作后进行后固化，让环氧充分固化,同时对LED进行热老化，条件为110‑120℃,4‑5小时；S7、采用切筋切断LED支架的连筋，在一片PCB板上,进行划片机来完成分离工作，在芯片正面制作绝缘钝化层，将成品进行计数包装，即为成品。