[发明专利]一种存储器的干扰死机的测试方法有效
| 申请号： | 201910164980.1 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109887538B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 肖运涓;张坤;黄敏君 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器的干扰死机的测试方法，应用于双倍速率同步动态随机存储器，双倍速率同步动态随机存储器设置有多种信号线，其中，测试方法包括以下步骤：步骤S1，将双倍速率同步动态随机存储器的至少一根信号线进行短路处理；步骤S2，对双倍速率同步动态随机存储器进行读写操作；步骤S3，记录双倍速率同步动态随机存储器响应每次读写操作的每个测试结果。通过对双倍速率同步动态随机存储器的信号线进行短路处理，并记录双倍速率同步动态随机存储器响应每次读写操作的每个测试结果，从而准确排查存储器死机问题，进而减少排查的成本，并加快研发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 干扰 死机 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的干扰死机的测试方法，应用于双倍速率同步动态随机存储器，所述双倍速率同步动态随机存储器设置有多种信号线，其特征在于，所述测试方法包括以下步骤：步骤S1，将所述双倍速率同步动态随机存储器的至少一根所述信号线进行短路处理；步骤S2，对所述双倍速率同步动态随机存储器进行读写操作；步骤S3，记录所述双倍速率同步动态随机存储器响应每次所述读写操作的每个测试结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶晨半导体（上海）股份有限公司，未经晶晨半导体（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910164980.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
