[发明专利]一种SiC基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种SiC基板的制造方法，S1、准备SiC粉末，将其作为原料，S2、将S1中的SiC粉末原料放置在坩埚内，在坩埚的盖体中安装由SiC单晶构成的籽晶，通过使原料升华进行再结晶，使SiC单晶在籽晶上生长，然后得到大致为圆柱状的SiC的块状单晶，S3、将待切割的SiC块状单晶安装在工作台上，涉及SiC基板制作技术领域。该SiC基板的制造方法，采用金刚石切割线进行切割，并在切割时进行喷浆，可以对大直径的SiC单晶进行切割，切出的SiC基板表面平整，每次可以切割多块SiC的块状单晶，提高了SiC基板的制作质量，在制作SiC的块状单晶时，碳化硅粉末升华速度快，从而SiC单晶在籽晶上生长速度快，提高了碳化硅单晶的制作效率，降低了生产成本。

主权项

1.一种SiC基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、准备SiC粉末，将其作为原料；S2、将S1中的SiC粉末原料放置在坩埚内，在坩埚的盖体中安装由SiC单晶构成的籽晶，通过使原料升华进行再结晶，使SiC单晶在籽晶上生长，然后得到大致为圆柱状的SiC的块状单晶；S3、将待切割的SiC块状单晶安装在工作台上；S4、将金刚砂与切割液按照1比2的质量比进行配比，制作混合砂浆，使砂浆密度达到1.2至1.3之间，通过搅拌机对其进行搅拌，搅拌2至3个小时；S5、将金刚石切割线绕到切割轮上，形成均匀的环形线网，设定切割线运行速度，启动切割机，将混合砂浆喷向金刚石切割线，使浸有混合砂浆砂浆的金刚石切割线对SiC块状单晶进行切割，制得成品。