[发明专利]一种RC-IGBT型储能变换器的驱动控制方法有效

专利信息
申请号: 201910166907.8 申请日: 2019-03-06
公开(公告)号: CN110224597B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 罗安;熊昊哲;周乐明;姜捷;刘傲洋;欧阳红林;刘思怡;周杰;王舒克 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强;王娟
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种RC‑IGBT型储能变换器的驱动控制方法,通过检测输出电流方向来判断储能变换器处于充电或放电状态,其中充电状态下RC‑IGBT型储能变换器的上桥臂为二极管续流模式,放电状态下RC‑IGBT型储能变换器的下桥臂为二极管续流模式。而在二极管续流阶段,采用负电平驱动,取代传统的高电平驱动,降低FRD深度饱和,减少FRD的导通损耗;在二极管续流关断阶段,通过退饱和控制来降低FRD的饱和程度,减小FRD的关断损耗。同时,为了避免退饱和脉冲造成储能变换器的死区过大,进一步提出一种低死区PWM调制方法来解决占空比与退饱和相互制约的难题。本发明有效地降低了储能变换器的开关损耗,提高了储能变换器的工作效率。
搜索关键词: 一种 rc igbt 型储能 变换器 驱动 控制 方法
【主权项】:
1.一种RC‑IGBT型储能变换器的驱动控制方法,RC‑IGBT型储能变换器的输入端与蓄电池相连,RC‑IGBT型储能变换器的输出端经LC滤波器接入负载,所述RC‑IGBT型储能变换器采用Buck‑Boost拓扑结构,所述拓扑结构包括IGBT器件和与所述IGBT器件反并联的RC‑IGBT,其特征在于,包括以下步骤:1)采样输出电流io,判断输出电流io的正负关系来确定储能变换器处于充电模式或放电模式,当io为正则处于放电模式,当io为负则处于充电模式;2)当储能变换器处于充电模式,上桥臂的RC‑IGBT器件处于二极管续流模态,设置上桥臂VT1的栅极驱动信号VGE‑1为‑15V的低电平,下桥臂VT2的栅极驱动信号VGE‑2与PWM调制信号相同;当储能双向直流变换器处于放电模式,下桥臂VT2的RC‑IGBT器件处于二极管续流模态,设置下桥臂的栅极驱动信号VGE‑2为‑15V,上桥臂VT1的栅极驱动信号VGE‑1与PWM调制信号相同;3)当储能变换器由放电模态切换至充电模态,或者由充电模态切换至放电模态,处于二极管续流模态的RC‑IGBT器件通过退饱和控制来降低FRD的饱和程度,减小FRD的关断损耗;4)将退饱和脉冲所占时间考虑至PWM调制中,使PWM调制信号的占空比由原来的d变为d‑Tdelay/Ts,以保证实际占空比仍为d;其中,Ts为开关周期,Tdelay为退饱和脉冲延时。
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