[发明专利]具有双厚度势垒层的高电子迁移率晶体管

摘要

一种形成半导体器件的方法包括提供异质结半导体本体。异质结半导体本体包括第一III‑V型半导体层和形成在第一III‑V型半导体层之上的第二III‑V型半导体层。第二III‑V型半导体层具有与第一III‑V型半导体层不同的带隙，使得第一二维电荷载流子气形成在第一与第二III‑V型半导体层之间的界面处。第二III‑V型半导体层具有较厚区段和较薄区段。第一输入‑输出电极形成在较厚区段上。栅极结构和第二输入‑输出形成在较薄区段上。栅极结构与第二III‑V型半导体层的较厚与较薄区段之间的过渡横向间隔开。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供异质结半导体本体，所述异质结半导体本体包括第一III‑V型半导体层和形成在第一III‑V型半导体层之上的第二III‑V型半导体层，第二III‑V型半导体层具有与第一III‑V型半导体层不同的带隙，使得第一二维电荷载流子气形成在第一与第二III‑V型半导体层之间的界面处，其中异质结半导体本体被提供成使得第二III‑V型半导体层包括较厚区段和较薄区段，在第二III‑V型半导体层的较厚区段上形成第一输入‑输出电极，第一输入‑输出电极与第一二维电荷载流子气欧姆接触；在第二III‑V型半导体层的较薄区段上形成第二输入‑输出电极，第二输入‑输出电极与第一二维电荷载流子气欧姆接触；以及在第二III‑V型半导体层的较薄区段上形成栅极结构，栅极结构配置成控制第一与第二输入‑输出电极之间的导电连接，其中栅极结构与第二III‑V型半导体层的较厚与较薄区段之间的过渡横向间隔开。