[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910167833.X 申请日: 2019-03-06
公开(公告)号: CN109987944B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 谢志鹏;肖志才;胡丰;肖毅;刘剑;侯庆冬 申请(专利权)人: 清华大学;常德科锐新材料科技有限公司
主分类号: C04B35/587 分类号: C04B35/587;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64;C04B37/00
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 洪珊珊
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于高导热氮化硅陶瓷基板技术领域,特别涉及一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法。一种高导热氮化硅陶瓷基板,所述的陶瓷基板由若干氮化硅流延素坯叠层堆放而成,相邻的两氮化硅流延素坯设有中间层,中间层由两石墨板及两石墨条组成,两石墨条分别位于两石墨板两端之间且构成一腔室,石墨板上具有若干与所述腔室相通的孔洞,且石墨板与相对应的氮化硅流延素坯之间设有浆料分隔层。本发明制得的氮化硅陶瓷基板纯度和性能都较好,尤其具有较高热导率、优异力学性能。
搜索关键词: 一种 导热 氮化 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高导热氮化硅陶瓷基板,其特征在于,所述的陶瓷基板由若干氮化硅流延素坯叠层堆放而成,相邻的两氮化硅流延素坯设有中间层,中间层由两石墨板及两石墨条组成,两石墨条分别位于两石墨板两端之间且构成一腔室,石墨板上具有若干与所述腔室相通的孔洞,且石墨板与相对应的氮化硅流延素坯之间设有浆料分隔层。
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