[发明专利]具有场板结构的晶体管沟槽结构在审
| 申请号： | 201910169405.0 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110265478A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | B·格罗特;S·R·梅霍特拉;L·拉蒂克;V·坎姆卡 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及具有场板结构的晶体管沟槽结构。一种沟槽结构正侧向定位在第一晶体管的第一阱和第一源极区与第二阱区之间，其中第二源极用于第二晶体管。所述沟槽结构包括所述第一晶体管的第一栅极结构、所述第二晶体管的第二栅极结构、第一导电场板结构和第二导电场板结构。所述第一栅极结构、所述第一场板结构、所述第二场板结构和所述第二栅极结构在所述沟槽结构中定位于所述第一阱区与所述第二阱区之间的侧向线中。所述沟槽结构包括在所述侧向线中将所述第一场板结构与所述第二场板结构彼此分离的介电质。所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 沟槽结构 场板结构 栅极结构 阱区 侧向 导电场板 彼此分离 介电质 漏极区 源极区 正侧向 源极 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管装置，其特征在于，包括：第一晶体管的第一源极区；所述第一晶体管的第一阱区；第二晶体管的第二源极区；所述第二晶体管的第二阱区；沟槽结构，其正侧向定位在所述第一阱区与所述第二阱区之间，所述沟槽结构包括：所述第一晶体管的第一栅极结构；所述第二晶体管的第二栅极结构；第一导电场板结构；第二导电场板结构；其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构各自包括在所述沟槽结构中正侧向定位在所述第一阱区与所述第二阱区之间的部分；其中所述第一导电场板结构和所述第二导电场板结构各自包括正侧向定位在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的部分；所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区，其包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。
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